GaN ラッピング&ポリッシング

Trinity-Y
Gallium Nitride(GaN): 研削、ラッピング、CMPマシン

Multi-phase lapping system-Trinity Y

高度なウェーハの新しい設計と技術統合
Trinity-Y First

Trinity-Y-First_Vertical-grinding-machine-(精磨)
Lapping_facing-machine(-(精拋)
EJ-380IY--2

Trinity-Y EVG-200

Trinity-Y-EVG-200
EVG-200-Engis
Vacuum-chuck-work-head
真空チャックワークヘッド
Facing
フェーシング
Direct-drive-and-oscillation-work-head
ダイレクトドライブおよび振動ワークヘッド

片面研磨システム
EJ-380IY
Lapping and CMP Machine

EJ-380IY
EJ-380IY--2

両面研磨システム EJD-6B

この上部と下部のラッピングプレートは、それぞれ反対方向に回転します。 上下のラッピングプレートの間に挿入されたキャリアは、回転しながら下のラッピングプレートと同じ方向に回転します。 キャリア内のオブジェクトには、4つの方向への移動が与えられます。

また、上下のラッピングプレートとキャリアの回転比を調整し、両面を同時に均等にラッピングすることで、短時間で非常に高いラッピング精度を実現しています。

他のTrinity-Y機器と組み合わせると、スペースを節約し、高効率の処理システムを構築できます。

EJD-6B
EJD-6B-不鏽鋼
▲ シェルは、化学的腐食に耐えるために、オールステンレス製のダストカバーに変更できます。
EJD-6BY
EJD-6BY-(2)

EJD-6BY 仕様

プレートOD 386mm x ID 148mm
回転数Max. 10~60 r.p.m.
メインモーター2.2kw 200V 3相
運転システム4ウェイ 5ワーク ホールディング キャリア
アッパープレートコントロール空気圧 シリンダー Φ125*400mm
操作パネル7.4” カラー LCD タッチ パネル
制御システムPLC (Mitsubishi)
プログラム( マルチステップ プログラム ) 5ステップ
レシピ数10 レシピ
圧力制御逆圧バランス制御
施設の要件電源 : 200v 3相 30A
エア : CDA 0.5Mpa
寸法800 x 800 x 1920 (mm)

オプション

先端材料産業セグメント

Advanced-material-industry-segment

Gallium Nitrideウェーハ 2 インチ

Gallium-Nitride-Wafer-2-inch
素材最大2インチ
厚さ0.25~0.6mm
基板の向き(0001)
伝導タイプn-type
キャリア濃度 (cm-2)typical 5 x1018
キャリア移動度 (cm2/Vsec)typical 170
抵抗率 (Ω/cm)8 x 10-3

GaNラッピングプロセス

条件ステップ 1ステップ 2ステップ 3
装置Trinity-Y EVG200TYTrinity-Y EJW-380IF-TYTrinity-Y EJW-380CMP-TY
ラッププレートMAD #8000 WheelAlmet825ForGaN PAD
プレート速度1000 rpm/100 rpm60 rpm60 rpm
プレート条件ドレッシングブロックフェーシングACR
フィクスチャセラミックプレート φ138 Waxingセラミックプレート φ138 Waxingセラミックプレート φ138 Waxing
コンディションリング---------
スラリーCoolant 81E1/2um-STD-LEDWSP
スラリー供給サーキュレーション滴下滴下
重さ---20kg/3pcs15kg/3pcs
ラップタイム1st0.5u/min
2nd 0.3u/min
30min6hr

研削した後の表面

After-grinding-surface-data

ラッピングした後の表面

After-lapping-surface

CMPした後の表面

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