GaN 研磨拋光

Trinity-Y
GaN 研磨.精磨.CMP機台

Multi-phase lapping system-Trinity Y

先進晶圓用之新設計與技術整合
Trinity-Y First

Trinity-Y-First_Vertical-grinding-machine-(精磨)
Lapping_facing-machine(-(精拋)
EJ-380IY--2

Trinity-Y EVG-200

Trinity-Y-EVG-200
EVG-200-Engis
Vacuum-chuck-work-head
真空夾盤工作頭
Facing
修整表面
Direct-drive-and-oscillation-work-head
直驅&振動工作頭

單面拋光系統
EJ-380IY
Lapping and CMP Machine

EJ-380IY
EJ-380IY--2

多功能雙面拋光系統 EJD-6B

上下磨盤分別以相反方向旋轉,中間的載子和下磨盤同向旋轉;載體中的物體進行四個方向的運動。

上下磨盤和載體的旋轉比率經巧妙設計,以達同時對兩表面進行相等的研磨,可在很短的製程時間內達到非常高的研磨精度!

與Trinity-Y組合,可節省空間,又能建立高效加工系統。

EJD-6B
EJD-6B-不鏽鋼
▲ 外殼可改為全不鏽鋼防塵罩,防化學腐蝕
EJD-6BY
EJD-6BY-(2)

EJD-6BY Specifications

磨盤OD 386mm x ID 148mm
轉速Max. 10~60 r.p.m.
主馬達2.2kw 200V 3相
驅動系統4 路 5工件游星輪
上磨盤控制氣缸 Φ125*400mm
操作面板7.4” 彩色 LCD 觸控面板
控制系統PLC (三菱)
程序(多步程序) 5步程序
配方數10
壓力控制反壓平衡控制
設備要求電源:200v 3相 30A
空氣:CDA 0.5Mpa
尺寸800 x 800 x 1920 (mm)

選配

先進材料處理

Advanced-material-industry-segment

Gallium Nitride Wafer 2 inch

Gallium-Nitride-Wafer-2-inch
基材2 inch maximum
厚度0.25~0.6mm
基材方向(0001)
傳導方式n-type
載子濃度 (cm-2)typical 5 x1018
載子移動率 (cm2/Vsec)typical 170
電阻率 (Ω/cm)8 x 10-3

GaN 精磨製程

ConditionsStep 1Step 2Step 3
機台Trinity-Y EVG200TYTrinity-Y EJW-380IF-TYTrinity-Y EJW-380CMP-TY
磨盤MAD #8000 WheelAlmet825ForGaN PAD
磨盤速度1000 rpm/100 rpm60 rpm60 rpm
盤面修整方式修整塊FacingACR
治具陶瓷盤φ138 Waxing陶瓷盤φ138 Waxing陶瓷盤φ138 Waxing
修正環---------
鑽石液Coolant 81E1/2um-STD-LEDWSP
鑽石液供應方式循環滴下滴下
重量---20kg/3pcs15kg/3pcs
精磨時間1st0.5u/min
2nd 0.3u/min
30min6hr

研磨後表面數據

After-grinding-surface-data

精磨後表面數據

After-lapping-surface

CMP後表面數據

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